TIP112 Transistor Darlington BJT NPN 100V - 2A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 50W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 2A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) de 1000. 

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio de Potencia y Driver, Control de Motores, Controladores de Relay (Rele) y Solenoides.

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario TIP117
• Transistor equivalente a NTE261
• Transistor Darlington de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 100V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 100V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 2A
• Corriente Base (IB): 50mA
• Potencia Máxima Disipada (PD): 50W
• Ganancia Máxima (hFE): 1000