TIP47 Transistor BJT NPN 250V - 1A TO-220, semiconductor bipolar de alto voltaje de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 250VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 150. 

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial y swicheo en cargas que requieran alto voltaje.

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario TIP49
• Transistor equivalente a NTE198
• Transistor de alto voltaje de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 250V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 350V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 1A
• Corriente Base (IB): 600mA
• Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
• Ganancia Máxima (hFE): 150
• Frecuencia de Trabajo (FT): 10 MHz