MJE13007 Transistor BJT NPN 400V - 8A TO-220, semiconductor bipolar de muy alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 80W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 8A o que requieran tensiones de hasta 400VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 40. 

Dispositivo diseñado para circuitos inductivos de conmutación de potencia de alto voltaje y alta velocidad donde el tiempo de caída es crítico. Es especialmente adecuado para aplicaciones de conmutación de 115V y 220V, como reguladores de conmutación, inversores, control de motores, controladores de solenoides / Relé (Relay) y circuitos de desviación.

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor equivalente a NTE2312, 13007, J13007
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 400V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 700V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 9V
• Corriente Colector (IC): 8A
• Corriente Base (IB): 4A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 80W
• Ganancia Máxima (hFE): 40
• Frecuencia de Trabajo (FT): 14 MHz