IRF840 MOSFET Canal N 500V - 8A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales
como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor equivalente a NTE2385
• Transistor Mosfet Canal N
• Voltaje Drain - Source (VDSS): 500V
• Voltaje Drain - Gate (VDGR): 500V
• Voltaje Gate - Source (VGS): ± 20V
• Corriente Drain (ID): 8A
• Corriente Pulsada en Drain (IDM): 32A
• Resistencia de Conducción (RDS): 0.850 Ω
• Potencia Máxima Disipada (PD): 125W

Hoja Técnica IRF840